SiC Junction FETのスパイスモデル

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SiC Junction FETのSPICEモデルの再現性のある電気的特性
に関する資料です。

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トランスの損失について

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トランスの損失について纏めました。ご活用下さい。

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Bee Style:vol.037のご提供開始

Bee Style:Vol.037

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Bee Style:vol.037のご提供開始致しました。是非、ご参照下さい。Bee Style:の
バックナンバーは、スパイス・パークのログイン後のトップページでご参照及び
ダウンロードが可能です。または、こちらからもダウンロード可能です。

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Bee style:vol.037 修正案

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リチウムイオン電池のSPICEモデルの作成方法についてのケース・スタディ

は次号以降に記事化いたします。

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ゴールデンウィーク休業について

弊社のゴールデンウィークですが、誠に勝手ながら、
4月28日（土）から5月6日（日）までお休みを頂きます。
但し、上記期間中も下記の2つのメールアドレスにて、
ご対応致します。

info@bee-tech.com

horigome@bee-tech.com

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IGBTのスパイスモデルのデバイスモデリング

本日のご案内は、IGBTのスパイスモデルのデバイスモデリング
とIGBTのスパイスモデルを活用したシミュレーションの事例の
ご紹介です。

ビー・テクノロジーでは、 トランジスタ技術、2012年5月号にて
上記の記事を掲載しております。LTspiceでの活用 方法ですが、
同様の事はPSpiceでも可能です。但し、今回の検証は、LTspice
ですので、 ご了承下さい。

LTspiceは無償の回路解析シミュレータで、こちらからダウンロード
できます。

掲載ページは、209ページから219ページです。内容は下記の
とおりです。

IGBTのへフナモデルの弱点について
IGBTのへフナモデルの弱点の改善の方法について(等価回路を付加)
IGBTのMOSFET＋BJT型等価回路モデルについて 　
  等価回路図を公開しました 　
  デバイスモデリングのプロセスを公開しました 　
  IGBTのスパイスモデルの評価方法を公開しました 

このIGBTモデルを採用したアプリケーション回路の事例は、具体的
には2012年6月号で 公開します。

また、DCモーターのスパイスモデルの作成方法も公開します。
是非、トランジスタ技術　2012年5月号をご参照下さい。

見本はこちらから、ご参照 できます。

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Bee Style.vol 037 コンテンツ案

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Bee Style.vol 037のコンテンツ案です。

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