ショットキバリアダイオードの逆特性を考慮した等価回路モデルの影響度合い

TRS10A65C(SiC SBD)を活用した FCC回路シミュレーション from Tsuyoshi Horigome

TRS01A65C(SiC SBD)を活用した絶縁型フライバック回路シミュレーション from Tsuyoshi Horigome

TRS10A65C(SiC SBD)を活用した誘導負荷回路シミュレーション from Tsuyoshi Horigome

ショットキバリアダイオードの逆特性を考慮した等価回路モデル
の影響度合いについて調査中です。

FCC回路
誘導負荷回路

上記2回路におけるアプリケーション回路にて検証しました。
対象としたショットキバリアダイオードはSiCデバイスで
「TRS10A65C」になります。

逆特性の優位性はPFC回路の連続モードで発揮するとも
言われています。

次は、PFC回路の連続モードでの回路シミュレーションに
「TRS10A65C」を組み込み、検証します。

ビー・テクノロジー
堀米　毅 (Tsuyoshi Horigome)

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