2010年10月14日木曜日

SCS110AG(SiC SBD)の逆回復特性



国産で初めて量産化に成功したロームのSiC SBD、SCS110AGについての特性評価及びデバイスモデリングを行います。

SiCのショットキバリアダイオードのデバイスモデリングには、

順方向特性
逆方向特性
容量特性
逆回復特性(この特性が存在する場合、通常はTT=0です)

上記の特性図、波形データが必要になります。

今回は常温での逆回復特性を測定致しました。測定方法は、IFIR法
です。測定条件は下記のようにしました。

IF=0.2A
IR=0.2A
RL=50 ohm

です。

上記の写真が逆回復特性の波形になります。

trr=28nsec

です。

trrの内訳は、

trr=trj+trb=12n+16n

です。

SiCデバイスは温度特性が良いと言われています。そのあたりも測定
していきます。

下記の動画は、Siのスイッチングダイオードの逆回復特性の様子です。
常温から、高温へと変化させております。高温になると、常温と比較
して、だいぶ逆回復時間が長くなっております。つまり、スイッチング
をしているのであれば、スイッチング損失はどんどん、増えていくわけ
です。この動画はシリコンデバイスですが、これがSiCデバイスになっ
たらどうなるのか?興味あります。



[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号:03-5401-3851
メールアドレス:info@bee-tech.com

世界のアキバから タイ・バンコク編



2010年11月号のトランジスタ技術に記事を書きました。

現地のエレキ商売突撃レポート! 世界のアキバから
タイ・バンコク編

です。紙面では掲載しきれなかった写真については、
こちらのWEB版でも掲載されております。

ビー・テクノロジーではデバイスモデリングのラボラトリー
をタイ・バンコクに構えております。回路解析シミュレーション
業務ですが、机上の理論とコンピュータ技術中心と考えられやすい
のですが、以外と回路実験、測定等が多く、デザインキット開発
になりますと、アプリケーション回路の実装も行います。本社の
場合、浜松町ですので、秋葉原までは近く、また、RSコンポーネント
等の通販もありますので、電子部品の調達ルートは幾つかあります。

タイ・バンコクの場合、バンモーですが、スクンビットのプラカノン
通りにも1軒だけ、電子部品調達先はありますが、大体は、「バンモー」
にいかないと無いと言われる。

日本で言うところの秋葉原(電子部品系)に相当する「バンモー」、是非、
ご覧下さい。

追記)

コンピュータに関連する場所として、パンテップもあります。こちらは
PC中心ビルです。

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