デバイスモデリング研究所: GaN MOSFET

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2015年4月13日月曜日

2015年5月号トランジスタ技術　GaN FETのモデリングとシミュレーション

GaN FETのモデリングとシミュレーションがトランジスタ技術2015年5月号に掲載
されました。これは、MOSFET LEVEL=3モデル＋等価回路モデルの組み合わせ
であり、次世代MOSFETのデバイスモデリングは大体この考え方で再現性が
得られます。

GaN FETのデバイスモデリング from Tsuyoshi Horigome

もう１つは、簡易モデルですが、LTspiceのVDMOSモデルを活用してもある程度の
再現性が得られます。ただし、再現性のある電気的項目は限定されます。
メリットは、収束性のよさになります。

ビー・テクノロジー
堀米　毅

お問い合わせはこちらからお願い致します。

GaN MOSFETのgfsの算出方法 from Tsuyoshi Horigome

GaN MOSFETのデバイスモデリングに必要なgfsの特性図です。
gfsはデータシートに記載されている事はほとんどなく、伝達特性
の変化分からgfsを算出することができます。

算出方法は、上記の資料をご参照ください。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
http://www.beetech.info/
電話番号：03-5401-3851
メールアドレス：horigome@beetech.info

GaN MOSFETのスパイスモデルの再現性がある電気的特性
についての資料です。

ご提供のモデルの種類は、等価回路モデルです。

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