2010年2月8日月曜日

SiCデバイスのスパイスモデル(ビー・テクノロジー)


SiCデバイスは、パワー・エレクトロニクス分野で注目されている分野です。近い将来、産業用から、電気自動車のキー・デバイスになると思われます。ビー・テクノロジーのデバイスモデリングサービスの事業において、SiCデバイスに多く関わり、SiCデバイスの4つの種類のスパイスモデルをご提供可能になりました。

SiC SBD
SiC JFET
SiC BJT
SiC MOSFET
です。

また、これらのSiCデバイスのスパイスモデルを活用し、従来のSiデバイスとの比較、特に消費電力がどの位、削減出来るのか?を任意の回路方式に組み込み、過渡解析を行い、損失計算をさせ、試作前に検証しております。回路解析シミュレータの

場合、どんなに複雑な波形であっても、電圧x電流で損失を計算させる事が容易です。

また、SiCデバイスの場合、回路方式に組み込んだ場合、どのような回路定数が最適なのかも「パラメトリック解析」にて、容易に影響度合いを観察する事が出来ます。

SiCデバイスのスパイスモデル及び、SiCデバイスを組み込んだアプリケーション回路のシミュレーションを行う際は、是非、ご相談下さい。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号:03-5401-3851
メールアドレス:info@bee-tech.com

Power MOSFETモデルの種類について


株式会社ビー・テクノロジーがご提供している「Power MOSFET」のスパイスモデルの種類です。スタンダードモデルは、パラメータモデルです。MOSFET LEVEL=3モデルです。SPICEの分野では非常に実績のあるモデルです。しかし、弱点があります。それは、ミラー効果がない事です。つまり、ミラー容量が表現されていません。その弱点を等価回路を付加する事で、改善されたモデルが、上記のプロフェッショナルモデルです。このミラー効果は電気的特性上、どの項目に影響があるかと言うと、「ゲートチャージ特性」です。回路解析上では、過渡解析におけるスイッチング特性に影響致します。ゲートチャージ特性に再現性を持たせることで、スイッチング特性にも再現性が出てきます。
よって、正確に過渡解析にて、損失計算を行う場合には、ミラー効果に再現性があるプロフェッショナルモデルの採用をご検討下さい。収束性が多少悪くなりますが、当社からご購入された場合、収束性も含めて、サポート致します。

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