SiCデバイスは、パワー・エレクトロニクス分野で注目されている分野です。近い将来、産業用から、電気自動車のキー・デバイスになると思われます。ビー・テクノロジーのデバイスモデリングサービスの事業において、SiCデバイスに多く関わり、SiCデバイスの4つの種類のスパイスモデルをご提供可能になりました。
SiC SBD
SiC JFET
SiC BJT
SiC MOSFET
SiC JFET
SiC BJT
SiC MOSFET
です。
また、これらのSiCデバイスのスパイスモデルを活用し、従来のSiデバイスとの比較、特に消費電力がどの位、削減出来るのか？を任意の回路方式に組み込み、過渡解析を行い、損失計算をさせ、試作前に検証しております。回路解析シミュレータの
また、これらのSiCデバイスのスパイスモデルを活用し、従来のSiデバイスとの比較、特に消費電力がどの位、削減出来るのか？を任意の回路方式に組み込み、過渡解析を行い、損失計算をさせ、試作前に検証しております。回路解析シミュレータの
場合、どんなに複雑な波形であっても、電圧x電流で損失を計算させる事が容易です。
また、SiCデバイスの場合、回路方式に組み込んだ場合、どのような回路定数が最適なのかも「パラメトリック解析」にて、容易に影響度合いを観察する事が出来ます。
SiCデバイスのスパイスモデル及び、SiCデバイスを組み込んだアプリケーション回路のシミュレーションを行う際は、是非、ご相談下さい。
SiCデバイスのスパイスモデル及び、SiCデバイスを組み込んだアプリケーション回路のシミュレーションを行う際は、是非、ご相談下さい。
