IGBTのデバイスモデリングサービスについて

IGBTのデバイスモデリングサービスについて

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上記の資料は、「IGBTのデバイスモデリングサービスについて」です。
是非、お問い合わせ下さい。

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株式会社ビー・テクノロジー
電話番号：03-5401-3851
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ダイオードの逆回復特性の温度依存性について

逆回復特性の温度依存性について

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上記の資料は、ダイオードの逆回復特性の温度依存性です。ダイオードのスイッチング
特性は、逆回復時間です。温度が高くなるほど、逆回復時間が長くなる事は、回路設計者
であれば、実感していると思います。過渡的に考えると高温になるとスイッチング損失
がその分おおきくなりますので、設計上考慮しなければなりません。

1つの事例ですが、実施に測定してみますと150度においては、ここまでtrrが長くなります。
同じダイオードとは思えない結果です。

今、話題のSiCデバイスを採用すればかなり改善されます。

ダイオードのスイッチング損失を回路実験で求めようとすれば大変な労力がかかりますし、
技術的にも難しい。回路解析シミュレータであれば、電圧Ｘ電流で簡単に計算出来ます。

しかし、Tc=150℃のシミュレーションをするのにTC=25℃のスパイスモデルを使用していれば
全然、実際の波形とは異なります。よって、採用するスパイスモデルは十分、考慮しなければ
なりません。

[参考]

回路解析シミュレーションで温度を考える場合3種類あります。

Tc:ケース温度
Ta:周囲温度
Tj:ジャンクション温度

です。それぞれのどの温度で考えるか？シミュレーションするかによって検討が必要です。
何故ならば、スパイス(SPICE)の世界はTaだからです。

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コイルの直流重畳特性のシミュレーション

コイルの直流重畳特性のシミュレーション

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村田製作所のコイル製品の直流重畳特性のシミュレーションです。
コイルに直流電流を印加するとインダクタンス値が下がります。

現在、これをトランスのスパイスモデルの等価回路に組み込めないか？
検討しております。トランスモデルには色々な種類があります。

一度、体系的にトランスのスパイスモデルをまとめ、スパイスモデル
解説のテーマにしたいと考えています。2011年の3月か4月に開催したい
と思います。

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太陽電池ビジネスサマリー

太陽電池ビジネスサマリー

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回路解析シミュレーション、デバイスモデリング事業における太陽電池
ビジネスへの関わり方です。

ビー・テクノロジーでは、シミュレーションの視点から太陽電池システム
に関わる技術的支援を行っております。

太陽電池システム全体のシミュレーション及び各機能デバイス等のシミュ
レーションがSPICEで実現出来ます。

是非、ご相談下さい。

回路解析シミュレータのプラットフォームも各種に対応しております。
お客様の最適な環境の御相談も承っております。

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