逆回復特性の温度依存性について
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上記の資料は、ダイオードの逆回復特性の温度依存性です。ダイオードのスイッチング
特性は、逆回復時間です。温度が高くなるほど、逆回復時間が長くなる事は、回路設計者
であれば、実感していると思います。過渡的に考えると高温になるとスイッチング損失
がその分おおきくなりますので、設計上考慮しなければなりません。
1つの事例ですが、実施に測定してみますと150度においては、ここまでtrrが長くなります。
同じダイオードとは思えない結果です。
今、話題のSiCデバイスを採用すればかなり改善されます。
ダイオードのスイッチング損失を回路実験で求めようとすれば大変な労力がかかりますし、
技術的にも難しい。回路解析シミュレータであれば、電圧Ｘ電流で簡単に計算出来ます。
しかし、Tc=150℃のシミュレーションをするのにTC=25℃のスパイスモデルを使用していれば
全然、実際の波形とは異なります。よって、採用するスパイスモデルは十分、考慮しなければ
なりません。
[参考]
回路解析シミュレーションで温度を考える場合3種類あります。
Tc:ケース温度
Ta:周囲温度
Tj:ジャンクション温度
です。それぞれのどの温度で考えるか？シミュレーションするかによって検討が必要です。
何故ならば、スパイス(SPICE)の世界はTaだからです。
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