2011年1月31日月曜日

ビー・テクノロジーの事業内容



2011年2月現在の事業内容です。現在、シンプルモデルとコンセプトキット
を準備中です。

シミュレーション導入後、お客様を徹底的にサポートしていきます。
シミュレーション導入前でもお問い合わせ下さい。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号:03-5401-3851
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2011年1月30日日曜日

Rds(on)の定義



上記の資料はモデルパラメータRDの抽出方法に関わる考え方です。

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2011年1月25日火曜日

トランスのスパイスモデルについて



トランスのスパイスモデルの解説です。このドキュメントはブラシアップ
されていきます。上記の資料は2011年1月25日現在の資料です。

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パワーデバイスのデバイスモデリング



上記の資料は2007年に発表したパワーデバイスのデバイスモデリングの
資料です。デバイスモデリングの対象は、

SiC SBD
パワーMOSFET
IGBT

です。

是非、ご参照下さい。

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トランスのスパイスモデルのマインドマップ



2011年1月25日現在のトランスのスパイスモデルに関するマインドマップ
です。

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2011年1月24日月曜日

ビー・テクノロジーの事業内容


2010年12月12日現在のビー・テクノロジーの事業内容です。

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太陽電池のスパイスモデルリスト



ビー・テクノロジーでは、太陽電池のスパイスモデルを販売しております。
スパイスモデルのリストは上記の資料のとおりです。太陽電池システムの
シミュレーションに是非、ご活用下さい。お問い合わせは下記までお願い
致します。

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LTspiceのワークショップ満席のお知らせ

2011年2月4日に開催されるワークショップは満席になりました。ご応募、
ありがとうございました。参考までにご案内の内容を掲載致します。

[ワークショップの内容]

2011年2月4日にワークショップ形式にて「LTspiceを活用した誘導負荷シミュ
レーション 」の体験学習型セミナーを開催致します。

LTspiceを活用した誘導負荷スイッチングシミュレーションです。この事例では、
トランジスタですが、パワーMOSFET、IGBTをスイッチング素子に採用しても同様
の事が出来ます。解析の種類は、過渡解析を行い、軸変換を行えば安全動作領域が
表示できます。

この誘導負荷のシミュレーションではスナバ回路を追加する事で、安全動作領域
を確保している事例です。

コイルが負荷の場合、動作は実機では難しいですが、シミュレーションの場合、
1回テンプレートを作成してしまえば、定数を変えるだけで、様々なケースが
解析できますので、非常に便利なツールです。

LTspiceは無償のSPICE回路解析シミュレータですが、性能は市販品と変わりま
せん。また、PSpiceユーザーの方も製品版をセットアップし、ご参加下さい。
PSpiceの場合、評価版では機能制限(ノード数)を超えますので、動作しません。

このセミナー(ワークショップ)の対象者

(1)誘導負荷シミュレーションに関心のある方
(2)回路における安全動作領域のシミュレーションに関心のある方
(3)回路解析シミュレータの導入を検討している方
(4)LTspiceの習得をしたい方

1.シミュレーションに採用したスパイスモデルの説明

2.誘導負荷シミュレーションと安全動作領域検証
2.1 スナバ回路無しの場合
2.2 スナバ回路を2素子で構成した場合
2.3 スナバ回路を4素子で構成した場合

3.質疑応答
スパイスモデル、回路解析シミュレーション全般に対して

開催日:2011年2月4日(金曜日)13:30-15:30
場所:IAIJ会議室 
住所:〒105-0012 
東京都港区芝大門二丁目2番7号 
7セントラルビル4階
電話:03-5401-3851
定員:3名-5名
持参:ノートPCにLTspiceをセットアップしてきて下さい。
また、PSpiceでの受講を希望の方は、製品版をセットアップ
してきて下さい。PSpiceの評価版ではノード数を超えるため、
シミュレーションが出来ませせん。
受講料:5,250円(消費税込み)
お申し込み先(メールアドレス):
info@bee-tech.com 

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太陽電池出力シミュレーション



上記の資料は、PSpiceを活用した太陽電池のシミュレーションの事例です。
1ページ目が回路図、2ページ目が解析結果です。

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SPICEを活用した太陽電池シミュレーション



上記の資料は、「SPICEを活用した太陽電池シミュレーション」です。
回路解析シミュレータSPICEを活用し、回路シミュレーションを行います。
ビー・テクノロジーでは、国内外の太陽電池のスパイスモデルのライブラリー
を保有しているため、低コスト、短納期で太陽電池シミュレーションが
実現できます。

是非、お問い合わせ下さい。

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2011年1月23日日曜日

NI MultiSim 11



NI MultiSimにおけるVer.10.1とVer.11.0のシミュレーションの差異
について現在移植中のデザインキットで確認しました。

まったく問題なく、差異もなく、シミュレーション出来ています。

今回の調査の動機は、PSpiceにおいて、バージョンによって解析結果が
異なったり、収束したりしなかったりする報告が結構あります。よって、
このような調査を致しました。

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2011年1月20日木曜日

IGBTのデバイスモデリングサービスについて



上記の資料は、「IGBTのデバイスモデリングサービスについて」です。
是非、お問い合わせ下さい。

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ダイオードの逆回復特性の温度依存性について



上記の資料は、ダイオードの逆回復特性の温度依存性です。ダイオードのスイッチング
特性は、逆回復時間です。温度が高くなるほど、逆回復時間が長くなる事は、回路設計者
であれば、実感していると思います。過渡的に考えると高温になるとスイッチング損失
がその分おおきくなりますので、設計上考慮しなければなりません。

1つの事例ですが、実施に測定してみますと150度においては、ここまでtrrが長くなります。
同じダイオードとは思えない結果です。

今、話題のSiCデバイスを採用すればかなり改善されます。

ダイオードのスイッチング損失を回路実験で求めようとすれば大変な労力がかかりますし、
技術的にも難しい。回路解析シミュレータであれば、電圧X電流で簡単に計算出来ます。

しかし、Tc=150℃のシミュレーションをするのにTC=25℃のスパイスモデルを使用していれば
全然、実際の波形とは異なります。よって、採用するスパイスモデルは十分、考慮しなければ
なりません。

[参考]

回路解析シミュレーションで温度を考える場合3種類あります。

Tc:ケース温度
Ta:周囲温度
Tj:ジャンクション温度

です。それぞれのどの温度で考えるか?シミュレーションするかによって検討が必要です。
何故ならば、スパイス(SPICE)の世界はTaだからです。

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コイルの直流重畳特性のシミュレーション



村田製作所のコイル製品の直流重畳特性のシミュレーションです。
コイルに直流電流を印加するとインダクタンス値が下がります。

現在、これをトランスのスパイスモデルの等価回路に組み込めないか?
検討しております。トランスモデルには色々な種類があります。

一度、体系的にトランスのスパイスモデルをまとめ、スパイスモデル
解説のテーマにしたいと考えています。2011年の3月か4月に開催したい
と思います。

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太陽電池ビジネスサマリー



回路解析シミュレーション、デバイスモデリング事業における太陽電池
ビジネスへの関わり方です。

ビー・テクノロジーでは、シミュレーションの視点から太陽電池システム
に関わる技術的支援を行っております。

太陽電池システム全体のシミュレーション及び各機能デバイス等のシミュ
レーションがSPICEで実現出来ます。

是非、ご相談下さい。

回路解析シミュレータのプラットフォームも各種に対応しております。
お客様の最適な環境の御相談も承っております。

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2011年1月19日水曜日

コイルの直流重畳特性モデルの事例



コイルのモデルには大きく分けると2つのスパイスモデルの種類があります。

周波数モデル

直流重畳特性モデル

上記の2つのモデルです。上記の事例でありますデバイスモデリングレポート
は、直流重畳特性モデルであり、直流重畳特性に再現性があります。

回路上において直流重畳特性の影響を考慮したい場合には、
「直流重畳特性モデル」を採用し回路解析シミュレーションを実行して下さい。

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2011年1月18日火曜日

コンセプトキットの開発状況:2つの特徴



コンセプトキットの開発状況です。現在、進めていますのが、PWM Buck Converter
のコンセプトキットです。2つのモデルを準備しています。

1つは、位相余裕度を行う為の「アベレージモデル」です。これは、汎用性をもった
等価回路モデルであり、パラメータベースでのシミュレーションにて、ゲインとフェーズ
のシミュレーションが出来ます。

もう1つは過渡解析用モデルであり、動作波形を過渡解析で観察する事があります。

過渡解析及び位相余裕度のシミュレーションは共存しませんので、テンプレートが
2つ必要になります。

現在、解説書を製作中です。完成次第、アップロードします。

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2011年1月度セミナーのご案内

本日は、2011年1月度セミナーのご案内です。2011年1月28日(金曜日)に、
[無料セミナー]SPICEの活用方法を開催致します。現在、ビー・テクノロジー
で開発を進めていますコンセプトキットを中心にSPICE(PSpice)の活用方法
を解説します。

コンセプトキットは、名前の通り、概念設計のための回路解析シミュレータ
のテンプレート集です。SPICEを使用し、制御シミュレーションを行います。

当日は、デモを交えながら、解説していきます。感覚的には、MATLABの
シムリンクのような感じで、パラメータベースでのシミュレーションが
出来ます。

是非、ご参加下さい。2011年最初のセミナーのため、ご参加の皆様に、
プレゼントを準備致します。

プログラムは下記の通りです。

1.PWM Buck Converter Average Model
 フィードバック制御におけるアベレージモデルを活用した
 位相余裕度のシミュレーションの活用方法を解説していきます。

2.ステッピングモータのコンセプトキット
 主に制御回路のモデリングについて解説していきます。
2.1 ユニポーラ・ステッピングモーター
  制御回路
2.2 バイポーラ・ステッピングモーター
  制御回路

開催日:2011年1月28日(金曜日)13:30-15:30
場所:IAIJ会議室 
住所:〒105-0012 
東京都港区芝大門二丁目2番7号 
7セントラルビル4階 
電話:03-5401-3851
定員:6名
受講料:無料
お申し込み先(メールアドレス):
info@bee-tech.com 

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2011年1月17日月曜日

ショットキバリアダイオードのスパイスモデルの無償提供



スパイス・パークにて、ショットキバリアダイオードのスパイスモデルの無償提供
を実施しております。是非、スパイス・パークからダウンロードして下さい。

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ビー・テクノロジーの事業案内(動画)です



ビー・テクノロジーの事業案内です。後半の1分間は、ビー・テクノロジーの
創業前のイメージビデオです。是非、ご参照下さい。

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ショットキバリアダイオードの逆特性

ショットキバリアダイオードの大きな特徴は、ダイオードとことなり、
逆特性のIR値が大きいと言う事です。ダイオードのパラメータモデル
の場合、逆特性は降伏点のみであり、大きな特徴であります逆特性が
表現出来ません。

降伏点は、モデルパラメータBVとIBVで表現されています。つまり、
降伏点の座標です。

実際には、カーブを描きますので、過渡解析にて損失計算をすると、
大きな誤りになりますので、注意が必要です。

その逆特性に確度を持たせるためには、等価回路モデルが必要です。

下記に1つの事例を示します。

逆特性の再現性について確認出来ます。



また、下記のモデルは、ダイオードモデルをショットキバリアダイオードに
代用した「スタンダードモデル」でありますので、逆特性には再現性はありません。



スタンダードモデルにて、再現性がある項目は、

順方向特性
容量特性

の2つの特性になります。

また、上記の2つのスパイスモデルは、スパイス・パークにて、無料提供しております。

スパイス・パークより、ダウンロードを行い、試してみてください。

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2011年1月14日金曜日

SiCSBDのスパイスモデルとPFCシミュレーション



2010年11月4日(水曜日)に発表した「SiCSBDのスパイスモデルとPFCシミュレーション」の
講演資料です。

過渡解析を行い、任意の電圧波形と電流波形を掛け合わせれば、損失計算が簡単に出来ます。

W=V X A

回路実験だと観察が難しい損失計算が瞬時に出来ます。

また、SiCデバイスのスパイスモデルをSiデバイスのスパイスモデルに置換すれば、

SiCとSiの比較も出来ます。

是非、お問い合わせ下さい。

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SiCショットキバリアダイオードのスパイスモデル



SiCショットキバリアダイオードのスパイスモデルの解説です。

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2011年1月13日木曜日

無償提供しているダイオードのスパイスモデル



現在、スパイス・パークにて無償提供しているダイオードモデルの
一覧表です。2011年1月13日現在です。

スパイス・パークのグローバルサイトはこちら

日本版サイトはこちら

になります。是非、ご活用下さい。

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スパイスモデル解説:ダイオード編



上記の資料は、ダイオードのスパイスモデルを解説した資料です。
ご活用下さい。また、ダイオードのデバイスモデリングの学習には、デバイスモデ
リング教材をご活用下さい。

ダイオードモデル編はこちらにあります。

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ダイオードのモデルパラメータの一覧表



ダイオードのモデルパラメータの一覧表です。ご参考にして下さい。
また、ダイオードのデバイスモデリングの学習には、デバイスモデ
リング教材をご活用下さい。

ダイオードモデル編はこちらにあります。

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無料スパイスモデル S3L60(新電元工業)



スパイス・パークのグローバル版にて、ダイオードのスパイスモデルをご提供します。
新電元工業のS3L60です。今回ご提供するスパイスモデルは2種類です。

プロフェッショナルモデルとスタンダードモデルです。この2つのスパイスモデルの
相違点は、逆回復特性に再現性があるかないかです。スタンダードモデルは、モデル
パラメータTTのみで表現するのに対し、プロフェッショナルモデルは、等価回路モデル
にて、trrをtrj成分とtrb成分で表現しております。

[SPICE PARK]
Category:Diode/General Purpose Rectifier
Manufacturer:SHINDENGEN
Part Number:S3L60

さらにスパイスモデルについて知りたい方は、下記のスパイスモデル解説をご参照下さい。







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無料スパイスモデル 1SS397(TOSHIBA)



スパイス・パークのグローバル版にて、ダイオードのスパイスモデルをご提供します。
東芝セミコンダクター社の1SS397です。今回ご提供するスパイスモデルは2種類です。

プロフェッショナルモデルとスタンダードモデルです。この2つのスパイスモデルの
相違点は、逆回復特性に再現性があるかないかです。

スタンダードモデルは、trr値は合っていますが、波形形状は合っていません。それに
対して、プロフェッショナルモデルは、逆回復特性を表現する為、等価回路モデルを
採用しております。その違いを下記のデバイスモデリングレポートでご確認下さい。

[SPICE PARK]
Category:Diode/General Purpose Rectifier
Manufacturer:TOSHIBA
Part Number:1SS397





さらにスパイスモデルについて知りたい方は、下記のスパイスモデル解説をご参照下さい。



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デバイスモデリングとは



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電子部品ビジネスの差別化に向けて(2004)



2004年にサプライヤ企業向けに書いた提案書です。2011年現在、半導体企業で
主に採用され、半導体営業の販促ツールに活用されています。また、徐々に受動
部品メーカー(特にコンデンサ)についても導入されつつあります。

2011年のスパイス・パークのグローバル版を足がかりに新しい世界を創出して
いきたいと思います。

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市場競争力強化に向けて(2004)



2004年に経営者・管理者向けに作成したプレゼン資料です。2004年作成のデータ
ですので、一部古いデータがありますが、基本的な考え方は2011年現在でも使え
ます。2011年は、

スパイスモデルについては、

デバイスモデリングサービス
スパイス・パークによるスパイスモデルの配信
シンプルモデルのご提供

シミュレーション技術については、

シンプルキット
デザインキット

でお客様をサポートできる体制になりました。

これからシミュレーションを導入したい方、シミュレーションを導入しているが、
更に有効に活用したい方

ご連絡下さい。ご相談におのりします。

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回路設計者向けご提案書(2004)



2004年に作成した回路設計者向けのご提案書です。デバイスモデルを活用した
回路設計へのご提案であり、シミュレーション技術を使いこなし、回路設計に
活かす事にて業務効率の向上を提案しています。アーカイブデータとして公開
致します。技術的内容は向上しておりますが、基本的な考え方は、2011年にも
通用する内容となっております。

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スパイス・パークのグローバル・バージョンがスタート



スパイス・パークのグローバル・バージョンが本日よりスタートしました。
日本語バージョンは先行して公開しております。今後は、コンテンツの充実
及びスパイスモデルの有効な使い方も含め、ご提案していきます。

グローバル版は、PAYPALにてクレジットカード決済にて、スパイスモデルを
ご購入出来ます。

グローバル版はこちら
日本語版はこちら
をご参照下さい。

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2011年1月12日水曜日

2009年時のプロトタイプ資料(リチウムイオン電池)



リチウムイオン電池のデバイスモデリングに関する2009年時のプロトタイプ資料
です。2011年現在でご提供しておりますリチウムイオン電池モデルは更にブラシ
アップされており、解析精度は向上されています。

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コンセプトキット開発中(アベレージモデル)



現在、ビー・テクノロジーでは、新しい製品のラインアップとして、
「コンセプトキット」を開発しております。

アベレージモデルを活用した位相余裕度のシミュレーションが出来る
PSpice用のテンプレートです。

上記の資料は開発中のマニュアルであり、後日、ブラシアップされ、
製品化されます。2011年1月中にご提供可能になります。

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ダイオードのスパイスモデルのパラメータ一覧表



上記の表は、ダイオードのスパイスモデルのパラメータ一覧表になります。
ダイオードのデバイスモデリングにご関心のある方は、デバイスモデリング
教材:ダイオードモデル編をご活用下さい。

また、2011年1月現在のデバイスモデリング教材のラインナップはこちら
ご参照下さい。

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2011年1月11日火曜日

2011年2月度アップデート(SiC SBD)



2011年2月度のスパイス・パークの全リストです。今月は、ローム製品の
SiC SBDのスパイスモデルを中心にご提供しております。

今回アップデートしたスパイスモデルについては、書きのアップデート情報
をご参照下さい。



ローム製品の「SCS110AG」になります。スパイスモデルは、常温だけではなく、
75度、125度、-25度のモデルをご提供しております。スパイス・パークにて、
各種モデルの評価レポート(デバイスモデリングレポート)もご提供しておりま
すので、レポートもご参照下さい。

スパイス・パークはこちらからご参照下さい。

SiC SBDの温度特性も掲載しておりおります。

また、こんなスパイスモデルが入手したいとか?ご希望等あればご連絡下さい。

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2011年1月10日月曜日

Bee Style:vol021のご提供開始



Bee Style:vol021のご提供開始致しました。是非、ご参照下さい。Bee Style:の
バックナンバーは、スパイス・パークのログイン後のトップページでご参照及び
ダウンロードが可能です。

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2011年1月7日金曜日

Agilent 4280Aにて自動計測



Agilent 4280AをAgilent E5230Cで制御をしている事例です。自動計測にて
C-V測定環境を構築致しました。

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370A制御画面



デバイスモデリングに必要な測定項目はデバイスの種類にもよりますが、
多くあります。IV特性の取得の場合、カーブ・トレーサーを使用し測定
を行います。上記の事例は、測定の自動制御を行うコンピュータ制御の
スクリーンショット画面です。

仕様は下記のドキュメントをご参照下さい。



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2011年1月6日木曜日

LTspiceによるブリッジ整流回路シミュレーション



上記の動画は、LTspiceによるブリッジ整流回路シミュレーションの様子です。
電解コンデンサの値を変化させ、出力リップルの様子が検証できます。

このシミュレーションでは、電解コンデンサの選定のためですが、出力リップル
については、電解コンデンサを3素子モデルに変更する事で、電解コンデンサ内部
のESR,ESLの影響を確認出来ます。

LTspiceではパラメトリック解析が出来ますので各種パラメータを振った場合の
回路動作も確認で出来ます。

シミュレーション時間も動画の通り、非常に早く快適です。

回路図等は下記の資料をご参照下さい。



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2011年1月5日水曜日

シミュレーション(Spice)で有益な分野



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PSpice Model Editorでダイオードモデルを作成しよう



株式会社ビー・テクノロジーでは、デバイスモデリング教材を2011年1月現在
12種類、ご提供しております。ダイオードモデルの詳細を把握、学習したい
方は、デバイスモデリング教材:ダイオードモデル編をご活用下さい。

下記のスライドは、スパイスモデル解説:ダイオードモデル編です。ご参考に
して下さい。



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S3L60のスパイスモデル



S3L60のスパイスモデルのデバイスモデリングレポートです。上記のスパイス
モデルは、パラメータモデル、すなわち、スタンダードモデルになります。
このスパイスモデルは、スパイス・パークにて提供中です。

また、ダイオードのスパイスモデルの種類につきましては、下記のスパイス
モデル解説:ダイオードモデル編をご参照下さい。



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