GaN FETのデバイスモデリング

2015年5月号トランジスタ技術　GaN FETのモデリングとシミュレーション 

GaN FETのモデリングとシミュレーションがトランジスタ技術2015年5月号に掲載
されました。これは、MOSFET LEVEL=3モデル＋等価回路モデルの組み合わせ
であり、次世代MOSFETのデバイスモデリングは大体この考え方で再現性が
得られます。

GaN FETのデバイスモデリング from Tsuyoshi Horigome

もう１つは、簡易モデルですが、LTspiceのVDMOSモデルを活用してもある程度の
再現性が得られます。ただし、再現性のある電気的項目は限定されます。
メリットは、収束性のよさになります。

ビー・テクノロジー
堀米　毅

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