国産で初めて量産化に成功したロームのSiC SBD、SCS110AGについての特性評価及びデバイスモデリングを行います。
SiCのショットキバリアダイオードのデバイスモデリングには、
順方向特性
逆方向特性
容量特性
逆回復特性（この特性が存在する場合、通常はTT=0です）
上記の特性図、波形データが必要になります。
今回は常温での逆回復特性を測定致しました。測定方法は、IFIR法
です。測定条件は下記のようにしました。
IF=0.2A
IR=0.2A
RL=50 ohm
です。
上記の写真が逆回復特性の波形になります。
trr=28nsec
です。
trrの内訳は、
trr=trj+trb=12n+16n
です。
SiCデバイスは温度特性が良いと言われています。そのあたりも測定
していきます。
下記の動画は、Siのスイッチングダイオードの逆回復特性の様子です。
常温から、高温へと変化させております。高温になると、常温と比較
して、だいぶ逆回復時間が長くなっております。つまり、スイッチング
をしているのであれば、スイッチング損失はどんどん、増えていくわけ
です。この動画はシリコンデバイスですが、これがSiCデバイスになっ
たらどうなるのか？興味あります。
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