富士電機IGBTのスパイスモデルの型名について

Update in SPICE PARK ,Jan 2011

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上記のリストが、富士電機のIGBTのスパイスモデルの型名のリストに
なります。幾つかのケースは、回路解析シミュレーションの用途に応じて、
選択が出来る様に、スパイスのモデルの種類を分けております。

是非、ご活用下さい。

全ての評価検証レポート（デバイスモデリングレポート）は、スパイス・
パークのサイトで公開しております。ログインを行い、IGBTのカテゴリー
からご参照下さい。こちらからご参照下さい。

これらのスパイスモデルは、PSpiceで検証しておりますが、SPICE系の
シミュレータであれば、ご活用可能です。是非、お問い合わせ下さい。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号：03-5401-3851
メールアドレス：info@bee-tech.com

2011年1月度アップデート(IGBT中心)

SPICE PARK (SPICE Model List), JAN2011

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スパイスモデルのライブラリーです。日本国内のデバイスを中心に3,585個
のモデル（2011年1月度現在）が格納されています。また、それぞれのモデル
にデバイスモデリング・レポートが含まれています。随時、アップデート
される発展型製品です。

半導体部品33種類、受動部品10種類、モーター1種類、ランプ2種類、
バッテリー9種類(太陽電池モデル含む)、機械部品2種類、合計57種類で構成
されています。

スパイスモデルのリスト(2011年1月現在)-->PDF(3.6MB)

スパイスモデルの分類表(2011年1月現在)-->PDF(30KB)

2011年1月度アップデート分モデルリスト-->PDF(548KB)

ご提供方法は、一括販売を始め、分類販売、1個からの販売も行っております。
是非、お問い合わせ下さい。スパイス・パークのWEB版もあります。

こちらからご参照下さい。ログインしますと全てのスパイスモデルのデバイス
モデリングレポートをご参照出来ます。ログインは、メールアドレスと
パスワードのみでユーザー登録出来ます。

また、お客様の回路解析シミュレーションに必要不可欠なスパイスモデルの整備
についてもご相談下さい。お客様のご活用の回路解析シミュレータにてご提案
致します。

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資料公開：Power MOSFETとトランジスタ

スパイスモデル解説：Power MOSFETとトランジスタ

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2010年12月3日に開催致しました「スパイスモデル解説：Power MOSFETと
トランジスタ」のテキストです。当日は、本題とは別にホワイトボードでの
説明が多く、聞くのが大変だったかも知れません。

この資料を2つにわけ、もう少しブラシアップを行い、後日、WEBサイト(2011
年1月頃)に掲載致します。

パワーMOSFETのポイントは、ミラー効果の補正回路を等価回路で補うことで、
ゲートチャージ特性に対し、再現性があり、スイッチング特性も合うと言う
ことです。

トランジスタは、Gummel-Poonモデルが主流ですが、多種多様なトランジスタ
に対し、Gummel-Poonモデルをベースにした多くの等価回路モデルが存在する
という事です。

2010年12月10日は、スパイスモデル解説：IGBT編です。

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Junction FETのスパイスモデル

Device Modeling Evaluation of Junction FET

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Junction FETのデバイスモデリングの際の評価検証項目は上記の
マインドマップのとおりです。

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太陽電池出力シミュレーション

Output Simulation of Solar Cell of HEM125PA

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ホンダソルテックのHEM125PAのスパイスモデルを使用して、
PSpiceにてシミュレーションを行った事例です。接続方法は、
並列で24パネルになります。

天候による出力特性図が把握できます。また、パネルの設置した
場所、パネルの設置状況(傾斜角、方位角)からその土地、設置方法
による出力特性図がシミュレーションで描けます。

日射量のデータは、NEDOのMONSOLA05(801)のデータベースを
活用します。スパイス・パークにて、太陽電池のスパイスモデル
を数多く、ご提供しています。是非、お問い合わせ下さい。

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[セミナー]SPICEの活用方法

是非、ご参加下さい。こちらからご参照出来ます。

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パワーMOSFETのスパイスモデルの種類

上記のマインドマップは、パワーMOSFETのスパイスモデルの種類をまとめた
ものです。プロフェッショナルモデルの大きな特徴は、ミラー効果を等価回路
で反映しておりますので、ゲートチャージ特性に再現性があります。

つまり、MOSFET LEVEL=3モデルの弱点であるミラー容量固定から、等価回路
の付与によって、ミラー容量が可変になります。どのようにミラー容量を可変
にするのか？その等価回路のモデリングの方法を本日のセミナーで解説します。

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