パワーMOSFETのgfsの算出方法

パワーMOSFETのgfsの算出方法 from Tsuyoshi Horigome

パワーMOSFETのデバイスモデリングに必要なgfsの特性図です。
gfsはデータシートに記載されている事はほとんどなく、伝達特性
の変化分からgfsを算出することができます。

算出方法は、上記の資料をご参照ください。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
http://www.beetech.info/
電話番号：03-5401-3851
メールアドレス：horigome@beetech.info

日本の販売体制について(ビー・テクノロジー)

ビー・テクノロジーの日本における販売体制が本日(2012年12月11日)より
大きく変わります。ビー・テクノロジーは、販売について直販及び販売
代理店にて行っておりました。

日本市場の拠点であった株式会社ビー・テクノロジーは、解散し、今後の
日本市場における販売の窓口(総代理店)は、マルツエレック株式会社に
なります。

ビー・テクノロジーの総代理店の情報

マルツエレック株式会社
会社情報はこちらをご参照下さい。

お問い合わせ先のメールアドレスは、
info@marutsu.co.jp
になります。

また、ビー・テクノロジーは、今後は、メーカーに徹し、より一層の研究開発に
努め、皆様に役立つ製品づくりをしていきます。

ビー・テクノロジーの販売代理店の情報はこちらをご参照下さい。

今後とも宜しくお願い致します。

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PSpiceアプリケーションセミナー資料

PSpiceアプリケーションセミナー（06DEC2012) from spicepark

2012年12月6日に開催された「PSpiceアプリケーションセミナー」の
ビー・テクノロジーの発表分の資料です。

是非、ご参考にして下さい。

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2012年12月6日に開催されるセミナーのご案内

本日は2012年12月6日に開催されるセミナーのご案内です。

PSpiceを用いたアナログ回路シミュレーションは、多くの分野で
様々な解析に利用されています。本セミナーでは、回路解析を
活用するための環境構築として、スパイスモデルの重要性や
必要性、センサーのデバイスモデリングのご紹介、フォトカプラ
やフォトインタラプタの光伝達素子のセンサー回路解析事例を
ご紹介致します。

是非、ご来場いただきPSpiceをさらにご活用ください。

日時：2012年12月6日(木曜日)13:30-16:30
場所：サイバネットシステム株式会社（秋葉原）
場所のご案内は下記のURLをご参照下さい。
http://www.cybernet.co.jp/company/map/hq.html
費用：無料
お申し込み先：下記のURLからお願いします。
http://www.cybernet.co.jp/eda/seminar_event/special/pspice10.html

回路解析シミュレータを活用するための環境
　　1-1.　スパイスモデルについて
　　1-2.　シンプルモデルについて
　　1-3.　用途に応じたスパイスモデルについて
　　1-4.　スパイスモデルの入手方法について
　　　　1-4-1.　スパイス・パーク
　　　　1-4-2.　デバイスモデリングサービス
回路方式をテンプレート化する
　　2-1.　コンセプトキット
　　2-2.　デザインキット
　　2-3.　デザインキットの配信サービスについて
センサーのデバイスモデリング
　　3-1.　酸素センサーのデバイスモデリング
　　3-2.　フォトインタラプタのデバイスモデリング
　　3-3.　フォトインタラプタのアプリケーション回路シミュレーション
フォトカプラを利用したセンサー回路解析事例

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IGBTのスパイスモデル大幅値下げ(ビー・テクノロジー)

スパイス・パークより大幅価格改定のお知らせ(IGBTのSPICEモデル)

スパイス・パークのIGBTのSPICEモデルについて販売価格を改正致しました。

スパイス・パーク内のパワーMOSFETのスパイスモデルのカテゴリー

http://www.spicepark.info/igbt/

プロフェッショナルモデル：3,150円
スタンダードモデル：2,100円

でのご提供になります。是非、ご活用ください。

ビー・テクノロジーがご提供するIGBTのスパイスモデルは、2種類あります。

スタンダードモデルは、IGBTのへフナモデル＋等価回路での構成です。

IGBTのへフナモデルには以下の2点の弱点があります。

(1)伝達特性が合わない
(2)飽和特性が合わない

特に、(2)は致命的でありますので、飽和特性に再現性がある等価回路を付加
することで、解析精度の向上を行っております。

プロフェッショナルモデルでは、「MOSFET+BJT」の等価回路モデルであり、
デバイスモデリングの難易度は非常に高いのですが、再現性があり、一番、実績の
あるモデルになります。

また、スパイスモデルはネットリストのため、人間可読ではありません。

スパイス・パークで販売しているすべてのトランジスタのスパイスモデルは、評価検証
を行っており、検証結果は、デバイスモデリングレポートでご確認できます。

是非、ご活用ください。

IGBTのスパイスモデルの技術情報は、下記のサイトをご参考にしてください。

 http://ow.ly/fz3n0 

また、IGBTのデバイスモデリングについて習得したい方は、デバイスモデリング
教材：IGBTモデル編をご活用ください。

 http://ow.ly/fz3pC 

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パワーMOSFETのスパイスモデル 大幅値下げ

スパイス・パークのパワーMOSFETのSPICEモデルについて販売価格
を改正致しました。

スパイス・パーク内のパワーMOSFETのスパイスモデルのカテゴリー

http://www.spicepark.info/mosfet/

プロフェッショナルモデル：3,150円

スタンダードモデル：2,100円

でのご提供になります。是非、ご活用ください。

ビー・テクノロジーがご提供するパワーMOSFETのスパイスモデルは、
3種類あります。上記の他にもスペシャルモデルをデバイスモデリング
サービスでご提供しています。

スタンダードモデルは、パラメータモデルでの構成です。業界標準の
MOSFET LEVEL=3モデルです。

プロフェッショナルモデルは、パラメータモデルの大きな弱点である
ゲートチャージ特性のミラー効果に再現性を持たせるため、等価回路
モデルでのご提供になります。ビー・テクノロジーがご提供する
パワーMOSFETのスパイスモデルで一番、納品数が多いスパイスモデル
です。

スペシャルモデルは、ゲートチャージ特性及びスイッチング特性に
再現性があります。このスパイスモデルは、企業の研究所レベル、
自動車業界で採用されています。

また、スパイスモデルはネットリストのため、人間可読ではありません。

スパイス・パークで販売しているすべてのトランジスタのスパイスモデルは、
評価検証を行っており、検証結果は、デバイスモデリングレポートで
ご確認できます。

是非、ご活用ください。

パワーMOSFETのスパイスモデルの技術情報は、下記のサイトを
ご参考にしてください。

http://ow.ly/fqoE9

また、パワーMOSFETのデバイスモデリングについて習得したい方は、
デバイスモデリング教材：パワーMOSFETモデル編をご活用ください。

http://ow.ly/fqozC

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http://www.beetech.info/
電話番号：03-5401-3851
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スパイス・パーク・アップデート計画(2013年1月度)

Planning of SPICE PARK Update JAN2013 from spicepark

スパイス・パーク・アップデート計画(2013年1月度)です。
デバイスの種類は、パワーMOSFETのSPICEモデルを中心に
アップデートを計画しています。

メーカーは、東芝セミコンダクター＆ストレージ社になり
ます。

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