パワーMOSFETのデバイスモデリング評価項目及び測定項目

[Power MOSFET]デバイスモデリング 評価項目及び測定項目

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Power MOSFETのデバイスモデリングに必要な測定項目及びデバイスモデリング後の
評価検証項目です。マインドマップでまとめました。

お問い合わせは、ビー・テクノロジーまでお願いします。

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株式会社ビー・テクノロジー
電話番号：03-5401-3851
メールアドレス：info@bee-tech.com

Cbdの算出方法

Cbdの算出方法

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MOSFETのデバイスモデリングの容量特性は、Cbdを使います。しかしこのCbdは
あまり聞きなれない用語だと思います、普段、データシートで参照する容量特性
は、Ciss,Coss,Crssであるからです。

スパイスモデルの抽出では、容量特性は、Cbd特性を使い、モデルパラメータ

MJ

PB

を抽出します。

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ビー・テクノロジーの事業内容2011

本日はビー・テクノロジーの2011年の事業内容のご案内です。

ビー・テクノロジー事業内容 FEB2011

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既存事業の充実を行い、お客様の問題解決、特に困っている事について、
徹底的にサポートすることを第一と致します。回路解析シミュレータ導入前、
導入後で貢献できればと思います。

デバイスモデリングサービスでは、対象となるデバイスが増えました。また、
記載はありませんが、センサー部品についてもスパイスモデルをご提供して
おります。また、スパイス・パークにて、汎用デバイスのスパイスモデルの
配信も行っております。

今回、新しく、シンプルモデルの販売を予定しております。これは、汎用的に
活用できるパラメータベースの機能部品です。あったら便利なモデル、自分で
等価回路を作成するのは手間がかかる機能部品を揃えております。

デザインキット、回路方式のシミュレーションのテンプレートですが、2011年は、
インバータ回路の回路方式のデザインキットを充実させます。

また、汎用的に使えるパラメータベースのシンプルキットを新しく、準備しています。
こちらも完成しだい、お知らせしていきます。

是非、ご相談下さい。

[追記]

2011年3月下旬から4月初旬に、スパイスモデル解説：トランスモデル編の開催を計画
しております。詳細が決まり次第、メールマガジンでご案内致します。

こちらもお楽しみに。

2011年1月、2月のセミナー、ワークショップは満席です。ご了承下さい。

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ビー・テクノロジーの事業内容

ビー・テクノロジー事業内容 FEB2011

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2011年2月現在の事業内容です。現在、シンプルモデルとコンセプトキット
を準備中です。

シミュレーション導入後、お客様を徹底的にサポートしていきます。
シミュレーション導入前でもお問い合わせ下さい。

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Rds(on)の定義

Rds(on)の定義

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上記の資料はモデルパラメータRDの抽出方法に関わる考え方です。

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トランスのスパイスモデルについて

トランスモデル(スパイスモデル)

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トランスのスパイスモデルの解説です。このドキュメントはブラシアップ
されていきます。上記の資料は2011年1月25日現在の資料です。

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パワーデバイスのデバイスモデリング

Device Modeling of POWER Device

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上記の資料は2007年に発表したパワーデバイスのデバイスモデリングの
資料です。デバイスモデリングの対象は、

SiC SBD
パワーMOSFET
IGBT

です。

是非、ご参照下さい。

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