2010年1月14日木曜日

Ic-hFE特性とモデルパラメータの関係図

Ic-hFE特性とモデルパラメータの関係図を纏めました。上図の通りです。モデルパラメータによる影響度合いが強いモデルパラメータは上記の通りです。例えば、任意のIc-hFE特性を持ったモデルにて、回路におけるhFEの影響を解析するシミュレーションに多く使われています。先ずは、TYP値のモデルパラメータを抽出し、その後、Ic-hFE特性の評価シミュレーションで解析し、任意のカーブになるように5つのモデルパラメータを調整するのが一般的です。

上記は、トランジスタモデルのGunmmel-Poonモデルのモデルパラメータですので、SPICEシミュレータの機種依存に関係なく、参考になる図になっております。

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デバイスモデリングおよび回路設計者向け提案に関するブリーフィング文書

エグゼクティブ・サマリー 「デバイスモデリング」の定義および「回路設計者向けのご提案(2004年)」に関する情報を集約したものである。主な内容は、特定の技術文書の存在と、それらを提供するプラットフォームの運用ポリシーに限定される。提示されたソースには、2004年時点での回路設計者...