講演資料：超低損失！新素材パワー半導体の実力

SiC MOSFET+SBD Simulation using LTspice

View more presentations from Tsuyoshi Horigome

テクノフロンテア2011にて3日間講演した講演資料を公開致します。
LTspiceでSiCデバイス(SiC MOSFET,SiC SBD)のSPICEモデルを活用
し、誘導負荷回路にて過渡解析を行い、損失計算をさせています。

SPICEモデルの作成方法も紹介！
「超低損失！新素材パワー半導体の実力」

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号：03-5401-3851
メールアドレス：info@bee-tech.com