2011年8月15日月曜日

MOSFET LEVEL=3のモデリングのワークフロー



上記の資料は、パワーMOSFETのMOSFET LEVEL=3のスパイスモデルの
デバイスモデリングのワークフローです。

基本的には、

IV

CV

Switching

の順に、モデルパラメータを決定していきます。

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デバイスモデリングおよび回路設計者向け提案に関するブリーフィング文書

エグゼクティブ・サマリー 「デバイスモデリング」の定義および「回路設計者向けのご提案(2004年)」に関する情報を集約したものである。主な内容は、特定の技術文書の存在と、それらを提供するプラットフォームの運用ポリシーに限定される。提示されたソースには、2004年時点での回路設計者...