2011年8月15日月曜日

MOSFET LEVEL=3のモデリングのワークフロー



上記の資料は、パワーMOSFETのMOSFET LEVEL=3のスパイスモデルの
デバイスモデリングのワークフローです。

基本的には、

IV

CV

Switching

の順に、モデルパラメータを決定していきます。

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スパイス・パーク サブスクモデル配信サービス開始

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