SiC SBDのスパイスモデルとPFC回路シミュレーション

2010年11月4日に講演しました「SiC SBDのスパイスモデルとPFC回路
シミュレーション」のプレゼン資料を公開します。

掲載場所は、スパイス・パークのショットキバリアダイオードのカテゴリ
です。PDFファイルです。スパイス・パークへはこちらからご参照下さい。

スパイス・パークにはメールアドレスパスワードのご登録でログイン
出来ます。

PSpiceの事例ですが、LTspiceでも全く同じ事が出来ます。是非、
ご参考にして下さい。

[お問い合わせ先]
株式会社ビー・テクノロジー
電話番号：03-5401-3851
メールアドレス：info@bee-tech.com

任意パラメータ(sol)の画面表示方法

LTspiceにおける任意パラメータの画面表示の方法です。この方法だと、回路図
画面上で任意のパラメータ(ここでは、太陽電池の任意モデルパラメータ：sol)
のパラメータ値を変更し、シミュレーションが出来ます。

オペレーションにつきましては、上記の動画をご参照下さい。また、手順書に
つきましては、こちらからPDFファイルをダウンロードして下さい。

パワーポイントのデータはこちらからダウンロード出来ます。

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スパイスモデル解説：ダイオード編資料公開中

2010年10月21日に開催した第一回スパイスモデル解説：ダイオードモデル編
で使用したテキストをPDFファイルでご提供致します。

掲載場所は、スパイス・パークのダイオードのカテゴリーにあります。

是非、ダウンロードし、ご活用下さい。

なお、スパイス・パークにはメールアドレスとパスワードのご登録でログイン
出来ます。

こちらからご参照下さい。

ダイオードのデバイスモデリングの詳細について学習したい方は、こちらの
デバイスモデリング教材をご活用下さい。

また、

第二回スパイスモデル解説：パワーMOSFETとトランジスタ編
2010年12月3日開催[満席]

第三回スパイスモデル解説：IGBT編
2010年12月10日開催[残席僅か]

です。

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スパイスモデルの情報流通

LTspiceはスパイスモデルファイルと回路図シンボルファイルの2つで
情報流通できるので流通しやすいです、色々な登録の仕方がありますが、
LTspice内のフォルダ内にファイルを移動するだけで登録が完了する。

PSpiceは登録のオペレーションのアクションが多い。

LTspiceはオペレーションがシンプルであり、通常の業務にも最適な
回路解析シミュレータです。

LTspiceはフリーソフトです。

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満席御礼 スパイスモデル解説 パワーMOSFETとBJT

2010年12月3日開催のスパイスモデル解説：パワーMOSFETとトランジスタは
満席になりました。たくさんのご応募、ありがとうございました。

下記が当日のプログラムになります。

パワーMOSFETとトランジスタ編
2010年12月3日(金曜日)13:30-15:30

[プログラム]
1.パワーMOSFETのスパイスモデル
1.1 スタンダードモデル(パラメータモデル)
1.2 プロフェッショナルモデル(ミラー容量を考慮した等価回路モデル)

2.トランジスタのスパイスモデル
2.1 Gunmmel-Poonモデル(パラメータモデル)
2.2 パワー・トランジスタモデル
2.3 ダーリントントランジスタモデル
2.4 デジタルトランジスタモデル(BRTモデル)

詳細はこちらをご参照下さい。

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満席御礼 PSpiceアプリケーションセミナー SiC SBD

テーマ性の強いセミナーと位置づけ、PSpiceアプリケーションセミナーを
サイバネットシステム株式会社と共同で開催しております。

前半のビー・テクノロジーの発表では、SiC SBDのスパイスモデルの解説と
PFC回路シミュレーションの事例をご紹介します。

SiC SBDのスパイスモデル解説はスパイスモデル解説：ダイオード編と重複
する場面もありますが、国産SiC SBDであるロームのSCS110AGのデバイス
モデリングに必要な特性の公開(基本特性を測定しました)し、解説します。

後半は、PSpiceを活用したPFC回路シミュレーションの事例をご紹介します。

是非、お楽しみに。

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2010年12月度セミナーのご案内

本日は2010年12月のセミナーのご案内です。第一回「スパイスモデル解説：
ダイオードモデル」に引き続き、第二回、第三回を下記の日時にて開催致し
ます。下記のご案内の2件のセミナーは無償セミナーになります。
なお、2010年11月度開催の有償セミナーは満席です。

(1)パワーMOSFETとトランジスタ編
2010年12月3日(金曜日)13:30-15:30
[プログラム]
1.パワーMOSFETのスパイスモデル
1.1 スタンダードモデル(パラメータモデル)
1.2 プロフェッショナルモデル(ミラー容量を考慮した等価回路モデル)

2.トランジスタのスパイスモデル
2.1 Gunmmel-Poonモデル(パラメータモデル)
2.2 パワー・トランジスタモデル
2.3 ダーリントントランジスタモデル
2.4 デジタルトランジスタモデル(BRTモデル)
詳細はこちらをご参照下さい。

(2)IGBT編
2010年12月10日(金曜日)13:30-15:30
[プログラム]
1.IGBTのスパイスモデル
1.1 ヘフナモデル(パラメータモデル)
1.2 MOSFET+BJTモデル

2.IGBTモデルとSiC SBDモデルを活用したシミュレーション
2.1 PFC回路シミュレーション
2.2 損失計算方法
詳細はこちらをご参照下さい。

皆様のご参加、お待ちしております。

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